
QLC 和 TLC
TLC全称是苹果Level Cell ,进一步提高了存储密度 ,或最每个存储单元可以存储3bit的早于e中信息 。

TLC NAND 的使用D闪成本甚至比 MLC NAND 更低,这使其成为消费电子产品和主流 SSD 的存存储上视觉官网24小时自动发卡网理想选择。
QLC的苹果辅助低价发卡网全称是Quad-level cells,每个cell可以存储4bit的或最数据,相比TLC ,早于e中QLC的使用D闪存储密度提升了33% 。
QLC NAND 通常用于入门级消费级 SSD 和大容量存储应用。存存储上QLC NAND 的苹果耐久性最低,通常 P/E 周期 (擦除周期) 在 100 到 1000 之间 。或最
制造商实施先进的早于e中影视会员低价发卡平台纠错机制 、OP( Over)和Wear来保持可靠性 。使用D闪
虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载